Nhằm mục đích phá vỡ rào cản về bộ nhớ trên các hệ thống máy tính hiệu năng cao, cũng như các thiết bị mạng thế hệ kế tiếp, hãng Samsung Electronic và Micron Technology vừa hợp tác cùng nhau. Cả 2 nhà sản xuất nhiều kinh nghiệm về bộ nhớ NAND này đã cùng bắt tay thành lập Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), đẩy mạnh ứng dụng công nghệ Hybrid Memory Cube (HMC) – mô hình sản xuất bộ nhớ vừa được Micron thảo ra cách đây không lâu.
Mục tiêu của việc hợp tác này là phát triển, thực hiện và thúc đẩy 1 chuẩn giao diện mở cho các sản phẩm sử dụng công nghệ HMC. Công nghệ HMC kết hợp 1 lớp logic nhỏ với các ngăn xếp theo chiều dọc của đế (die) DRAM (kết nối bằng kỹ thuật through-silicon-via), nhờ đó cho phép tăng cường đáng kể hiệu năng bộ nhớ, đồng thời cũng tiết kiệm năng lượng. Thiết bị HMC được cho rằng có thể cung cấp hiệu năng gấp 15 lần so với module DDR3 hiện tại; ngoài ra cũng tiêu thụ năng lượng thấp hơn đến 70% trên mỗi bit so với DDR3 DRAM.
Ngoài Samsung và Micron, HMCC cũng nhận được sự ủng hộ và giúp đỡ từ Altera Corp., Open Silicon và Xilinx; các công ty khác cũng rất được hoan nghênh cùng tham gia.